ସ olar ର କୋଷଗୁଡିକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଆମୋରଫସ୍ ସିଲିକନ୍ ରେ ବିଭକ୍ତ, ଯାହା ମଧ୍ୟରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ କୋଷଗୁଡିକ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ କୋଷ ଏବଂ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ କୋଷରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ |ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଦକ୍ଷତା ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ ଭିନ୍ନ |
ବର୍ଗୀକରଣ:
ଚାଇନାରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ସ ar ର ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ କୋଷଗୁଡ଼ିକୁ ଏଥିରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ:
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ 125 * 125
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ 156 * 156 |
ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ 156 * 156 |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ 150 * 150 |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ 103 * 103 |
ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ 125 * 125 |
ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା:
ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଯାଞ୍ଚ - ଭୂପୃଷ୍ଠ ଟେକ୍ସଚରିଂ ଏବଂ ପିକ୍ଲିଂ - ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଜଙ୍କସନ - ଡିଫୋସୋରାଇଜେସନ୍ ସିଲିକନ୍ ଗ୍ଲାସ୍ - ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ ଏବଂ ପିକଲିଂ - ଆଣ୍ଟି-ପ୍ରତିଫଳନ ଆବରଣ - ସ୍କ୍ରିନ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍ - ଦ୍ରୁତ ସିନ୍ଟରିଙ୍ଗ୍ ଇତ୍ୟାଦିରେ ବିଭକ୍ତ |
1. ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଯାଞ୍ଚ |
ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ହେଉଛି ସ ar ର କୋଷର ବାହକ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ର ଗୁଣ ସିଧାସଳଖ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ |ତେଣୁ, ଆସୁଥିବା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଯାଞ୍ଚ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ ୱାଫରର କିଛି ବ technical ଷୟିକ ପାରାମିଟରର ଅନଲାଇନ୍ ମାପ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏହି ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକରେ ମୁଖ୍ୟତ wa ୱେଫର୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅସମାନତା, ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ ଜୀବନକାଳ, ପ୍ରତିରୋଧକତା, P / N ପ୍ରକାର ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋକ୍ରାକ୍ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଏହି ଉପକରଣର ଗୋଷ୍ଠୀ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଲୋଡିଂ ଏବଂ ଅନଲୋଡିଙ୍ଗରେ ବିଭକ୍ତ | , ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକୀକରଣ ଅଂଶ ଏବଂ ଚାରୋଟି ଚିହ୍ନଟ ମଡ୍ୟୁଲ୍ |ସେଥିମଧ୍ୟରୁ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଡିଟେକ୍ଟର ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠର ଅସମାନତାକୁ ଚିହ୍ନଟ କରେ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଆକାର ଏବଂ ଡାଇଗୋନାଲ୍ ପରି ଦୃଶ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ଚିହ୍ନଟ କରେ |ମାଇକ୍ରୋ-କ୍ରାକ୍ ଚିହ୍ନଟ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ମାଇକ୍ରୋ-ଫାଟଗୁଡିକ ଚିହ୍ନଟ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଏହା ସହିତ, ଦୁଇଟି ଡିଟେକସନ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଅଛି, ଗୋଟିଏ ଅନ୍ଲାଇନ୍ ଟେଷ୍ଟ୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ ୱାଫରର ବହୁଳ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱାଫରର ପ୍ରକାର ପରୀକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ଅନ୍ୟ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫରର ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ ଜୀବନକାଳ ଚିହ୍ନଟ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ସଂଖ୍ୟା କିମ୍ବା ପ୍ରତୀକ ସହିତ ଅକ୍ଷର ମଧ୍ଯ ବ୍ୟବହାର କରି।ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଯାଞ୍ଚ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଭାବରେ ୱାଫର୍ ଲୋଡ୍ ଏବଂ ଅନଲୋଡ୍ କରିପାରିବ ଏବଂ ଅଯୋଗ୍ୟ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକୁ ଏକ ସ୍ଥିର ସ୍ଥିତିରେ ରଖିପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ inspection ାରା ଯାଞ୍ଚର ସଠିକତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବ |
2. ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଟେକ୍ସଚର |
ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଟେକ୍ସଚରର ପ୍ରସ୍ତୁତି ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ର ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ ବ୍ୟବହାର କରି ସିଲିକନ୍ ର ପ୍ରତ୍ୟେକ ବର୍ଗ ସେଣ୍ଟିମିଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଲକ୍ଷ ଲକ୍ଷ ଟେଟ୍ରେଡ୍ରାଲ୍ ପିରାମିଡ୍, ଅର୍ଥାତ୍ ପିରାମିଡ୍ ଗଠନ ଗଠନ କରିବା |ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ଘଟୁଥିବା ଆଲୋକର ଏକାଧିକ ପ୍ରତିଫଳନ ଏବଂ ପ୍ରତିଫଳନ ହେତୁ ଆଲୋକର ଅବଶୋଷଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀର ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତ ହୁଏ |ସିଲିକନ୍ ର ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ ସଲ୍ୟୁସନ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ଗରମ କ୍ଷାରୀୟ ସମାଧାନ |ଉପଲବ୍ଧ କ୍ଷାରଗୁଡିକ ହେଉଛି ସୋଡିୟମ୍ ହାଇଡ୍ରକ୍ସାଇଡ୍, ପୋଟାସିୟମ୍ ହାଇଡ୍ରକ୍ସାଇଡ୍, ଲିଥିୟମ୍ ହାଇଡ୍ରକ୍ସାଇଡ୍ ଏବଂ ଇଥିଲିନେଡିଏମାଇନ୍ |ଅଧିକାଂଶ ସୁଇଡ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରାୟ 1% ଏକାଗ୍ରତା ସହିତ ସୋଡିୟମ୍ ହାଇଡ୍ରକ୍ସାଇଡ୍ର ଏକ ଶସ୍ତା ଦ୍ରବଣୀୟ ଦ୍ରବଣ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା 70-85 ° C ଅଟେ |ଏକ ୟୁନିଫର୍ମ ସୁଇଡ୍ ପାଇବା ପାଇଁ, ସିଲିକନର କ୍ଷୟକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବା ପାଇଁ ଇଥାନଲ ଏବଂ ଆଇସୋପ୍ରୋପାନୋଲ ପରି ଆଲକୋହଲଗୁଡିକ ଜଟିଳ ଏଜେଣ୍ଟ ଭାବରେ ସମାଧାନରେ ଯୋଡାଯିବା ଉଚିତ |ସୁଇଡ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବା ପୂର୍ବରୁ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ପ୍ରାଥମିକ ପୃଷ୍ଠର ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ ପ୍ରାୟ 20-25 μm ଏକ କ୍ଷାରୀୟ କିମ୍ବା ଅମ୍ଳୀୟ ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ସଲ୍ୟୁସନ୍ ସହିତ ମିଶାଯାଏ |ସୁଇଡ୍ ଇଚ୍ ହେବା ପରେ ସାଧାରଣ ରାସାୟନିକ ସଫା କରାଯାଏ |ପ୍ରଦୂଷଣକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପାଣିରେ ରଖାଯିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ ଏବଂ ଯଥାଶୀଘ୍ର ବିସ୍ତାର କରାଯିବା ଉଚିତ୍ |
3. ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଗଣ୍ଠି |
ହାଲୁକା ଶକ୍ତିର ବ electric ଦୁତିକ ଶକ୍ତିରେ ରୂପାନ୍ତରକୁ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିବା ପାଇଁ ସ olar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକ ଏକ ବୃହତ କ୍ଷେତ୍ର PN ଜଙ୍କସନ ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି ଏବଂ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର PN ଜଙ୍କସନ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଏକ ବିସ୍ତାର ଚୁଲା ଏକ ବିଶେଷ ଉପକରଣ |ଟ୍ୟୁବଲାର୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ମୁଖ୍ୟତ four ଚାରୋଟି ଅଂଶକୁ ନେଇ ଗଠିତ: କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଡଙ୍ଗାର ଉପର ଏବଂ ତଳ ଅଂଶ, ନିଷ୍କାସିତ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାମ୍ବର, ଚୁଲା ଶରୀରର ଅଂଶ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ କ୍ୟାବିନେଟ୍ ଅଂଶ |ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ସାଧାରଣତ ph ଫସଫରସ୍ ଅକ୍ସିଚ୍ଲୋରିଡ୍ ତରଳ ଉତ୍ସକୁ ବିସ୍ତାର ଉତ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ |ଟ୍ୟୁବଲାର୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ପାତ୍ରରେ ପି-ପ୍ରକାର ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ରଖନ୍ତୁ ଏବଂ 850-900 ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ପାତ୍ରରେ ଫସଫରସ୍ ଅକ୍ସିଚ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଆଣିବା ପାଇଁ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |ଫସଫରସ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସହିତ ଫସଫରସ୍ ଅକ୍ସିଚ୍ଲୋରାଇଡ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ |ପରମାଣୁଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସମୟ ପରେ, ଫସଫରସ୍ ପରମାଣୁ ଚାରିପାଖରୁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ତରରେ ପ୍ରବେଶ କରେ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଫାଙ୍କ ଦେଇ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଭିତରକୁ ପ୍ରବେଶ କରି ବିସ୍ତାର କରେ, N- ପ୍ରକାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ P- ମଧ୍ୟରେ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ଗଠନ କରେ | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ, ଅର୍ଥାତ୍ PN ଜଙ୍କସନ |ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ PN ଜଙ୍କସନରେ ଭଲ ସମାନତା ଅଛି, ଶୀଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧର ଅଣ ସମାନତା 10% ରୁ କମ୍, ଏବଂ ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ ଜୀବନକାଳ 10 ମିଟରରୁ ଅଧିକ ହୋଇପାରେ |ପିଏନ୍ ଜଙ୍କସନ୍ର ଉତ୍ପାଦନ ହେଉଛି ସ ar ର କୋଷ ଉତ୍ପାଦନରେ ସବୁଠାରୁ ମ basic ଳିକ ଏବଂ ଜଟିଳ ପ୍ରକ୍ରିୟା |କାରଣ ଏହା ହେଉଛି ପିଏନ୍ ଜଙ୍କସନ୍ର ଗଠନ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଛିଦ୍ର ପ୍ରବାହିତ ହେବା ପରେ ସେମାନଙ୍କର ମୂଳ ସ୍ଥାନକୁ ଫେରି ନଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ a ାରା ଏକ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ଏକ ତାର ଦ୍ୱାରା ଟାଣାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ କରେଣ୍ଟ ଅଟେ |
4. ଡିଫୋସଫୋରୀଲେସନ୍ ସିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସ୍ |
ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ ଦ୍ sil ାରା, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଏକ ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଦ୍ରବଣରେ ବୁଡି ଯାଇ ଏକ ଦ୍ରବଣୀୟ ଜଟିଳ ଯ ound ଗିକ ହେକ୍ସାଫ୍ଲୋରୋସିଲିକ୍ ଏସିଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି କରେ |ଜଙ୍କସନ ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଫସଫୋସିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସର ଏକ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି |ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, POCL3 O2 ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି P2O5 ସୃଷ୍ଟି କରେ ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ |Si2 ଏବଂ ଫସଫରସ୍ ପରମାଣୁ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ P2O5 Si ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ, ଏହିପରି ଭାବରେ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଫସଫରସ୍ ଉପାଦାନ ଧାରଣ କରିଥିବା SiO2 ର ଏକ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଯାହାକୁ ଫସଫୋସିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସ୍ କୁହାଯାଏ |ଫସଫରସ୍ ସିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସ୍ ଅପସାରଣ ପାଇଁ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ସାଧାରଣତ the ମୁଖ୍ୟ ଶରୀର, ସଫେଇ ଟ୍ୟାଙ୍କ, ସର୍ଭୋ ଡ୍ରାଇଭ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ମେକାନିକାଲ୍ ବାହୁ, ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଏସିଡ୍ ବଣ୍ଟନ ପ୍ରଣାଳୀକୁ ନେଇ ଗଠିତ |ମୁଖ୍ୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ସଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍, ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍, ସଙ୍କୋଚିତ ବାୟୁ, ଶୁଦ୍ଧ ଜଳ, ଉତ୍ତାପ ନିଷ୍କାସିତ ପବନ ଏବଂ ବର୍ଜ୍ୟ ଜଳ |ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ସିଲିକାକୁ ଦ୍ରବଣ କରେ କାରଣ ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ସିଲିକା ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଅସ୍ଥିର ସିଲିକନ୍ ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ |ଯଦି ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଅତ୍ୟଧିକ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ସିଲିକନ୍ ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ସହିତ ଅଧିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଏକ ଦ୍ରବୀଭୂତ କମ୍ପ୍ଲେକ୍ସ, ହେକ୍ସାଫ୍ଲୋରୋସିଲିକ୍ ଏସିଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବ |
5. ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏଚିଂ
ଯେହେତୁ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଯଦିଓ ବ୍ୟାକ୍-ଟୁ-ବ୍ୟାକ୍ ବିସ୍ତାର ଗ୍ରହଣ କରାଯାଏ, ଫସଫରସ୍ ଅବଶ୍ୟ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଧାର ସମେତ ସମସ୍ତ ପୃଷ୍ଠରେ ବିସ୍ତାର ହେବ |PN ଜଙ୍କସନର ଆଗ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ସଂଗୃହିତ ଫୋଟୋଜେନେରେଟେଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଧାର ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରବାହିତ ହେବ ଯେଉଁଠାରେ ଫସଫରସ୍ PN ଜଙ୍କସନର ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ବିସ୍ତାର ହୋଇ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ |ତେଣୁ, ସେଲ୍ ଧାରରେ ଥିବା PN ଜଙ୍କସନକୁ ହଟାଇବା ପାଇଁ ସ ar ର କୋଷର ଚାରିପାଖରେ ଡୋପଡ୍ ସିଲିକନ୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ pl ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ କ ques ଶଳ ବ୍ୟବହାର କରି କରାଯାଇଥାଏ |ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ଏକ ନିମ୍ନ ଚାପରେ ଅଛି, ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ CF4 ର ପ୍ୟାରେଣ୍ଟ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ଆୟନାଇଜେସନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରି ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରନ୍ତି |ପ୍ଲାଜ୍ମା ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଆୟନକୁ ନେଇ ଗଠିତ |ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ର ପ୍ରଭାବରେ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଥିବା ଗ୍ୟାସ୍ ଶକ୍ତି ଶୋଷିପାରେ ଏବଂ ଆୟନରେ ପରିଣତ ହେବା ସହିତ ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀ ଗଠନ କରିପାରନ୍ତି |ସକ୍ରିୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡିକ ବିସ୍ତାର ହେତୁ କିମ୍ବା ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର କାର୍ଯ୍ୟରେ SiO2 ପୃଷ୍ଠରେ ପହଞ୍ଚନ୍ତି, ଯେଉଁଠାରେ ସେମାନେ ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠ ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରନ୍ତି, ଏବଂ ଅସ୍ଥିର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦ ସୃଷ୍ଟି କରନ୍ତି ଯାହା ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠରୁ ପୃଥକ ହୋଇଥାଏ | ଶୂନ୍ୟ, ଏବଂ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଦ୍ cav ାରା ଗୁହାଳରୁ ପମ୍ପ କରାଯାଏ |
6. ଆଣ୍ଟି-ପ୍ରତିଫଳନ ଆବରଣ |
ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠର ପ୍ରତିଫଳନ ହେଉଛି 35% |ଭୂପୃଷ୍ଠ ପ୍ରତିଫଳନକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଏବଂ କୋଷର ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଆଣ୍ଟି-ପ୍ରତିଫଳନ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଏକ ସ୍ତର ଜମା କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଶିଳ୍ପ ଉତ୍ପାଦନରେ, ଆଣ୍ଟି-ପ୍ରତିଫଳନ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ PECVD ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପ୍ରାୟତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |PECVD ହେଉଛି ପ୍ଲାଜମା ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା |ଏହାର ବ technical ଷୟିକ ନୀତି ହେଉଛି ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ଲାଜମାକୁ ଶକ୍ତି ଉତ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା, ନମୁନାକୁ ନିମ୍ନ ଚାପରେ ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜର କ୍ୟାଥୋଡରେ ରଖାଯାଏ, ନମୁନାକୁ ପୂର୍ବ ନିର୍ଦ୍ଧାରିତ ତାପମାତ୍ରାରେ ଗରମ କରିବା ପାଇଁ ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଉପଯୁକ୍ତ ପରିମାଣର | ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ SiH4 ଏବଂ NH3 ପ୍ରଚଳିତ |ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରେ, ଏକ କଠିନ ସ୍ଥିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅର୍ଥାତ୍ ଏକ ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ନମୁନା ପୃଷ୍ଠରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |ସାଧାରଣତ ,, ଏହି ପ୍ଲାଜମା-ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ୱାରା ଜମା ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା ପ୍ରାୟ 70 nm ଅଟେ |ଏହି ଘନତାର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ଅଛି |ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ହସ୍ତକ୍ଷେପର ନୀତି ବ୍ୟବହାର କରି, ଆଲୋକର ପ୍ରତିଫଳନ ବହୁ ମାତ୍ରାରେ ହ୍ରାସ ହୋଇପାରେ, ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀର ଆଉଟପୁଟ୍ ବହୁଗୁଣିତ ହୁଏ, ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ମଧ୍ୟ ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହୁଏ |
7. ସ୍କ୍ରିନ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍ |
ସ ar ର କୋଷ ଟେକ୍ସଚରିଂ, ବିସ୍ତାର ଏବଂ PECVD ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦେଇ ଗଲା ପରେ, ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଗଠନ ହେଲା, ଯାହା ଆଲୋକରେ କରେଣ୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ |ଉତ୍ପାଦିତ କରେଣ୍ଟକୁ ରପ୍ତାନି କରିବାକୁ, ବ୍ୟାଟେରୀ ପୃଷ୍ଠରେ ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ତିଆରି କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ତିଆରି କରିବାର ଅନେକ ଉପାୟ ଅଛି, ଏବଂ ସ ar ର ସେଲ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ତିଆରି ପାଇଁ ସ୍କ୍ରିନ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା |ସ୍କ୍ରିନ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍ ହେଉଛି ଏମ୍ବୋସିଂ ମାଧ୍ୟମରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ପୂର୍ବ ନିର୍ଦ୍ଧାରିତ ପ୍ୟାଟର୍ ପ୍ରିଣ୍ଟ୍ କରିବା |ଯନ୍ତ୍ରପାତି ତିନୋଟି ଅଂଶକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ବ୍ୟାଟେରୀର ପଛରେ ରୂପା-ଆଲୁମିନିୟମ୍ ପେଷ୍ଟ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍, ବ୍ୟାଟେରୀ ପଛରେ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ପେଷ୍ଟ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀର ଆଗରେ ରୂପା-ପେଷ୍ଟ ପ୍ରିଣ୍ଟିଙ୍ଗ୍ |ଏହାର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ହେଉଛି: ସ୍କ୍ରୁ ପ୍ୟାଟର୍ ର ଜାଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ସ୍ଲୁରି ଭିତରକୁ ପ୍ରବେଶ କରିବା, ଏକ ସ୍କ୍ରାପର୍ ସହିତ ସ୍କ୍ରିନର ସ୍ଲୁରି ଅଂଶ ଉପରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଚାପ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଏବଂ ଏକ ସମୟରେ ସ୍କ୍ରିନର ଅନ୍ୟ ପ୍ରାନ୍ତକୁ ଯିବା |ଇଙ୍କିଟି ଗ୍ରାଫିକ୍ ଅଂଶର ଜାଲରୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଚାପି ହୋଇ ଚାପି ହୋଇଯାଏ |ପେଷ୍ଟର ଭିଜୁଆଲ୍ ପ୍ରଭାବ ହେତୁ, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ଛାପ ସ୍ଥିର କରାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ ସମୟରେ ସ୍କ୍ରିନ ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ ପ୍ଲେଟ୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ଚିରାଚରିତ ସମ୍ପର୍କ ରହିଥାଏ, ଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗ ଲାଇନ୍ ଚିପିର ଗତି ସହିତ ଗତି କରିଥାଏ | ପ୍ରିଣ୍ଟିଂ ଷ୍ଟ୍ରୋକ
8. ଦ୍ରୁତ ପାପ
ସ୍କ୍ରିନ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସିଧାସଳଖ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ |ଜ organic ବ ରଜନୀ ବାଇଣ୍ଡରକୁ ପୋଡି ଦେବା ପାଇଁ ଏହାକୁ ଶୀଘ୍ର ଏକ ସିନ୍ଟରିଂ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ଛାପିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଗ୍ଲାସର କାର୍ଯ୍ୟ ହେତୁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସହିତ ପାଖାପାଖି ଖାଣ୍ଟି ରୂପା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଛାଡି ଦିଆଯାଏ |ଯେତେବେଳେ ରୂପା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ର ତାପମାତ୍ରା ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ପହଞ୍ଚେ, ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅନୁପାତରେ ତରଳାଯାଇଥିବା ରୂପା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ପଦାର୍ଥରେ ଏକୀଭୂତ ହୁଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଉପର ଏବଂ ତଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡଗୁଡିକର ଓହମିକ୍ ସମ୍ପର୍କ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଏବଂ ଖୋଲା ସର୍କିଟ୍ର ଉନ୍ନତି ହୁଏ | କକ୍ଷର ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଏବଂ ଫିଲିଂ ଫ୍ୟାକ୍ଟର୍ |କକ୍ଷର ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଏହାର ପ୍ରତିରୋଧ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କରିବା ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟର |
ସିନ୍ଟରିଂ ଫର୍ଣ୍ଣେସକୁ ତିନୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି: ପ୍ରି-ସିଣ୍ଟରିଂ, ସିଣ୍ଟରିଂ ଏବଂ ଥଣ୍ଡା |ପ୍ରି-ସିଣ୍ଟରିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ପଲିମର ବାଇଣ୍ଡରକୁ ସ୍ଲୁରିରେ କ୍ଷୟ କରିବା ଏବଂ ଜଳାଇବା, ଏବଂ ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ତାପମାତ୍ରା ଧୀରେ ଧୀରେ ବ ises େ;ସିନ୍ଟରିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ, ବିଭିନ୍ନ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିନ୍ଟେଡ୍ ଶରୀରରେ ଏକ ପ୍ରତିରୋଧକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ସମାପ୍ତ ହୁଏ, ଯାହା ଏହାକୁ ପ୍ରକୃତରେ ପ୍ରତିରୋଧକ କରିଥାଏ |, ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ତାପମାତ୍ରା ଏକ ଶିଖରରେ ପହଞ୍ଚେ;ଥଣ୍ଡା ଏବଂ କୁଲିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ, ଗ୍ଲାସ୍ ଥଣ୍ଡା, କଠିନ ଏବଂ ଦୃ solid ହୋଇଯାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ପ୍ରତିରୋଧକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ପାଳନ କରାଯାଇଥାଏ |
9. ପେରିଫେରାଲ୍ |
କୋଷ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ, ବିଦ୍ୟୁତ୍, ଜଳ ଯୋଗାଣ, ଡ୍ରେନେଜ୍, HVAC, ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଏବଂ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ବାଷ୍ପ ପରି ପେରିଫେରାଲ୍ ସୁବିଧା ମଧ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ |ନିରାପତ୍ତା ଏବଂ ନିରନ୍ତର ବିକାଶ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଅଗ୍ନି ନିରାପତ୍ତା ଏବଂ ପରିବେଶ ସୁରକ୍ଷା ଉପକରଣ ମଧ୍ୟ ବିଶେଷ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |ବାର୍ଷିକ 50MW ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ଏକ ସ ar ର ସେଲ୍ ଉତ୍ପାଦନ ରେଖା ପାଇଁ, ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଏବଂ କେବଳ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉପକରଣ ପ୍ରାୟ 1800KW |ବିଶୁଦ୍ଧ ଜଳର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଘଣ୍ଟା ପ୍ରତି ପ୍ରାୟ 15 ଟନ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ଜଳ ଗୁଣବତ୍ତା ଆବଶ୍ୟକତା ଚାଇନାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ଜଳ GB / T11446.1-1997 ର EW-1 ବ technical ଷୟିକ ମାନକ ପୂରଣ କରେ |ପ୍ରକ୍ରିୟା ଶୀତଳ ଜଳର ପରିମାଣ ମଧ୍ୟ ଘଣ୍ଟା ପ୍ରତି ପ୍ରାୟ 15 ଟନ୍, ଜଳ ଗୁଣରେ କଣିକାର ଆକାର 10 ମାଇକ୍ରନ୍ ଠାରୁ ଅଧିକ ହେବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ ଏବଂ ଜଳ ଯୋଗାଣ ତାପମାତ୍ରା 15-20 ° C ହେବା ଉଚିତ୍ |ଭାକ୍ୟୁମ୍ ନିଷ୍କାସନ ପରିମାଣ ପ୍ରାୟ 300M3 / H ଅଟେ |ଏଥି ସହିତ, ପ୍ରାୟ 20 ଘନ ମିଟର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଟ୍ୟାଙ୍କ ଏବଂ 10 ଘନ ମିଟର ଅମ୍ଳଜାନ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଟ୍ୟାଙ୍କ ମଧ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ |ସିଲାନ ଭଳି ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସର ସୁରକ୍ଷା କାରକକୁ ଧ୍ୟାନରେ ରଖି ଉତ୍ପାଦନ ନିରାପତ୍ତାକୁ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ ରୁମ ମଧ୍ୟ ସ୍ଥାପନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏଥିସହ, ସିଲାନ ଜାଳେଣି ଟାୱାର ଏବଂ ସ୍ୱେରେଜ୍ ଟ୍ରିଟମେଣ୍ଟ ଷ୍ଟେସନ୍ ମଧ୍ୟ କୋଷ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସୁବିଧା |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମେ -30-2022 |
